核心詞：礦用 射頻同軸電纜   MSYV-75-9 廠家 批發(fā)價格 
　　隨著我國電網(wǎng)的發(fā)展,復(fù)合絕緣子在輸電線路和變電站中得到了廣泛的應(yīng)用。圖9顯示了帶有碳化通道的人造絕緣子模型。分別測試了絕緣子不同位置沿碳化槽串的電場分布特性。當(dāng)絕緣子處于良好狀態(tài)時,當(dāng)電場通過絕緣子傘裙時,強(qiáng)度值迅速降低到最小值,通過傘裙后突然增加。本文主要分析了這種劣化對絕緣子串上電場分布的影響,利用COMSOL軟件對電場進(jìn)行了模擬分析,并在實驗室條件下測量了帶有碳化通道的絕緣子的電場。從電場分布云圖可以看出,通道兩端的局部場強(qiáng)顯著增加。碳化通道靠近高壓端,通道穿過兩個傘裙的長度。碳化通道的模擬模型是直徑為1mm、長度為100mm的圓柱體（長通道）。

本文使用的電場測試傳感器是一種氣泡克爾光纖傳感器,它利用了特殊電光晶體的折射率隨外加電場變化的特性。gdc100硅電場測試儀單相交流分壓器（分壓比1000:）、ds1102數(shù)字示波器、數(shù)字萬用表、絕緣棒和絕緣接地棒等的單相調(diào)壓器和單相調(diào)壓器的位置統(tǒng)一表示,復(fù)合絕緣子傘裙從高壓側(cè)到低壓側(cè)編號,如圖1所示。
　　1、根據(jù)圖3所示的電場測量結(jié)果
　　從圖3所示的電場測量結(jié)果來看,完好絕緣子和粘結(jié)面上有碳化通道的絕緣子沿串的電場分布規(guī)律相同:場強(qiáng)分布極不均勻,局部場強(qiáng)的最大值集中在高壓端附近,沿弦線,絕緣體中部電場值迅速減小,接近低壓側(cè)時略有增加,曲線在尾部稍有傾斜;碳化通道處電場畸變,整個通道附近的電場值較好,礦用射頻同軸電纜 MSYV-75-9廠家批發(fā)價格相同位置的絕緣體增加。為了便于數(shù)據(jù)的比較和分析,圖中還繪制了完整絕緣子的電場分布線圖。所有絕緣子的電場測量位置相同,測量線位于距離中心軸25mm的位置。
　　2、在圖中所示的電場分布曲線中
　　在圖中所示的電場分布曲線中,傘裙中的電場值低于5kV/m。臭氧是通過放電產(chǎn)生的,臭氧與空氣中的氮氣和水發(fā)生化學(xué)反應(yīng)會產(chǎn)生硝酸,硝酸會產(chǎn)生化學(xué)腐蝕,并在芯軸上產(chǎn)生碳化導(dǎo)電通道。在芯軸、硅橡膠套及其界面上,材料差、密封性差、場強(qiáng)高的零件容易發(fā)生局部放電。每個傘裙測量點的電場值取三次測量的平均值。在實驗室條件下,對兩組絕緣子樣品的電場值進(jìn)行了多次測量?？梢钥闯?礦用射頻同軸電纜 MSYV-75-9廠家批發(fā)價格碳化通道的存在不僅增加了傘裙上方和下方空氣中的電場值,還增加了硅橡膠傘裙中的電場值。從圖5的曲線可以看出,靠近短碳化通道的上下傘裙中的電場值約為10kV/m,與長碳化通道交叉的兩個傘裙中的電場值約為20kV/m。為了模擬絕緣子芯桿與保護(hù)套管之間的碳化通道,絕緣子樣品是在實驗室人工制造的Φ1mm細(xì)鐵絲穿過幾個傘裙的根部。圖8是硅橡膠復(fù)合絕緣子電場測試裝置的接線圖。表中鐵的介電常數(shù)為無窮大,礦用電纜為便于計算,假設(shè)其值為1×1010。在模擬計算中,導(dǎo)線和絕緣子高壓端的金具電位設(shè)定為110kV輸電線路峰值相電壓的89.8kv,金具在地面的電位,塔和塔側(cè)設(shè)置為0;為了保證計算的準(zhǔn)確性,在網(wǎng)格劃分中采用了極限細(xì)化。為了及時發(fā)現(xiàn)合成絕緣子的隱患,避免突發(fā)事故,提高電力系統(tǒng)運(yùn)行的安全性和可靠性,有必要對合成絕緣子的劣化進(jìn)行分類,準(zhǔn)確判斷劣化程度,從而確定復(fù)合絕緣子劣化對其空間電場的扭曲程度,避免或減少復(fù)合絕緣子劣化造成的損失。
　　3、因此
　　因此,進(jìn)一步研究復(fù)合絕緣子的劣化具有重要意義。復(fù)合絕緣子芯棒和保護(hù)套之間的粘結(jié)界面貫穿絕緣子兩端,是內(nèi)部絕緣的一個組成部分。110kV復(fù)合絕緣子結(jié)構(gòu)參數(shù)見表1。以fxb2-110/100復(fù)合絕緣子為研究對象,絕緣子傘裙數(shù)量為20個,單回線路側(cè)掛線方式。碳化通道模擬模型的形狀為直徑為1mm的圓柱體,短通道的長度為40mm,長通道的長度為100mm。不同碳化通道長度的局部電場模擬結(jié)果如圖5所示。如圖4所示,示出了具有不同碳化溝道長度的兩個絕緣體模型,其中通道位于絕緣體串的中間。圖4中的線段代表電場,上圖顯示碳化通道短的情況,下圖顯示碳化通道長的情況,圖中的曲線顯示電場計算時的截面位置。
　　4、當(dāng)傳感器探頭所在的空間中存在電場時
　　當(dāng)傳感器探頭所在的空間中存在電場時,兩個探頭端部之間將存在電位差。
　　5、圖7顯示了用于測試電場的基于撲克的光纖傳感器
　　圖7顯示了用于測試電場的基于撲克的光纖傳感器?？梢钥闯?傳感器末端有兩個探頭,探頭之間的距離約為10mm。當(dāng)施加在晶體上的電場強(qiáng)度或電壓發(fā)生變化時,沿光纖傳輸和輸出的光功率也會發(fā)生變化,因此可以用來測量空間電場強(qiáng)度或施加的電壓。絕緣子型號為通用型號,表中符號說明:F為復(fù)合型;X代表暫停;B代表彎曲失效水平;W代表大傘和小傘（防污）,無一代表同等的傘;110代表110kV;100代表100千牛。
　　6、在傳統(tǒng)的二維和三維場模擬研究中
　　在傳統(tǒng)的二維和三維場模擬研究中,忽略了鐵塔、導(dǎo)線等因素的影響,一般采用軸對稱場進(jìn)行模擬計算。此外,局部高場強(qiáng)的長期效應(yīng)會促進(jìn)絕緣子護(hù)套、芯棒和配件的局部放電,降低絕緣子的性能。嚴(yán)重時會造成絕緣子斷裂、擊穿,影響輸電線路的安全。碳化通道的存在相當(dāng)于在靜電場中引入導(dǎo)體。與硅橡膠和玻璃芯棒相比,炭化通道的相對介電常數(shù)和電導(dǎo)率遠(yuǎn)大于前兩種電介質(zhì)的兩個物理參數(shù)?？拷邏憾颂蓟ǖ赖淖畲缶植繄鰪?qiáng)達(dá)到180kv/m,同一位置完好絕緣子的電場值增加80%;遠(yuǎn)離高壓端（絕緣子串中部）的碳化通道的電場畸變非常微弱,與完好絕緣子相比,畸變僅為5%左右。因此,該結(jié)論可作為判斷或檢測絕緣子碳化通道的依據(jù)。然而,碳化通道上部和底部的電場強(qiáng)度大于正常值。碳化通道越靠近高壓端,電場畸變越大;離高壓端越遠(yuǎn),電場畸變程度越小。
　　7、本文利用ANSYS軟件建立了交流500kV線路絕緣子模型
　　本文利用ANSYS建立了交流500kV線路絕緣子模型,計算了芯棒表面有氣隙時的電場分布。近年來,許多學(xué)者對復(fù)合絕緣子劣化及劣化檢測技術(shù)進(jìn)行了大量的研究工作。
　　8、結(jié)果表明
　　結(jié)果表明,氣隙處的畸變場強(qiáng)不足以引起局部放電;然而,水滲入氣隙后可能會導(dǎo)致局部放電。測試原理:將光纖電場測試儀的探頭安裝在靠近絕緣子的絕緣棒頂部,通過電場測試位置控制臺調(diào)整電場測試的探頭位置,通過調(diào)壓器將升壓變壓器的電壓升高到絕緣子的耐壓范圍
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