為了評(píng)估GIS交換系統(tǒng)的缺陷，業(yè)界已經(jīng)對(duì)基于氣體絕緣的封閉復(fù)合材料的絕緣紙材料和實(shí)驗(yàn)方法進(jìn)行了研究。相色譜法確定其是否產(chǎn)生熱分解產(chǎn)物。測(cè)結(jié)果為H 2，CO，CO 2，CH 4，C 2 H 4和C 2 H 6，并且在不同加熱溫度下分解產(chǎn)物的分解速率也不同。以通過氣相色譜法推測(cè)GIS設(shè)備中的相關(guān)缺陷。著能源行業(yè)的發(fā)展，氣體絕緣開關(guān)設(shè)備（GIS）交換設(shè)備已逐漸取代了傳統(tǒng)的充油設(shè)備，這在電氣系統(tǒng)的安全性，穩(wěn)定性和經(jīng)濟(jì)運(yùn)行中起著關(guān)鍵作用[1]。

　　
　　]。是，近年來，隨著中國(guó)電網(wǎng)的不斷擴(kuò)展，GIS設(shè)備的使用急劇增加，并且發(fā)生了事故。于GIS設(shè)備通常位于市中心，因此其可靠性很高。GIS緊湊且充滿SF6高壓氣體，可引起設(shè)備爆炸性分解，這對(duì)人員和環(huán)境安全具有重要影響，從而使GIS設(shè)備的診斷更加復(fù)雜更重要的是[2]。果設(shè)備過熱，SF6會(huì)分解，并且會(huì)產(chǎn)生一系列分解產(chǎn)物，因此分解過程與設(shè)備內(nèi)部的溫度直接相關(guān)。
　　此，本文使用了一組模擬的加熱測(cè)試設(shè)備，通過加熱GIS材料內(nèi)部的絕緣材料來研究其分解產(chǎn)物的特性。SF6開關(guān)設(shè)備在運(yùn)行過程中會(huì)產(chǎn)生多種氣體分解產(chǎn)物，氣體檢測(cè)管法比較粗糙，在現(xiàn)場(chǎng)應(yīng)用較少[3]。過現(xiàn)場(chǎng)測(cè)試和來自許多變電站的數(shù)據(jù)，該色譜方法具有以下優(yōu)勢(shì)：來自外部環(huán)境的干擾少，靈敏度高，準(zhǔn)確性高，牢固，電纜實(shí)用和快速的穩(wěn)定性，這大大減少了所需的時(shí)間故障排除并提高工作效率。已逐漸成為監(jiān)視設(shè)備狀態(tài)和診斷故障的有效方法。氣，空氣。譜儀的參數(shù)如表1所示。

　　
　　本實(shí)驗(yàn)的加熱器加熱到高溫，以檢測(cè)其是否包含特征分解成分。法如下：用高純度氮?dú)獯祾呒訜崞髑惑w，清洗密封，在200°C加熱15小時(shí)，提取腔體中的氣體進(jìn)行檢測(cè)和分析。結(jié)果將用作該實(shí)驗(yàn)的高溫背景測(cè)試。述實(shí)驗(yàn)結(jié)果表明，加熱裝置的主要加熱材料是不銹鋼，其中包含一定數(shù)量的元素C，該元素C與雜質(zhì)（例如混合在裝置中的痕量H2O和O2）反應(yīng)。高溫下加熱形成二氧化碳。加熱裝置的溫度設(shè)定為50℃，用1ml注射器抽出1ml氣體，注入到色譜儀中進(jìn)行樣品檢測(cè)，將其作為低水平試驗(yàn)。驗(yàn)溫度。熱器的溫度設(shè)置為室溫。低溫度后，加熱器端口打開并且外部空氣平衡。
　　后將加熱器密封，將5 ml氮?dú)庾⑷爰訜崞饕哉{(diào)節(jié)加熱溫度和時(shí)間，并使用1 ml注射器進(jìn)行加熱。最后1 ml的氣體注入色譜儀進(jìn)行檢測(cè)。實(shí)驗(yàn)（1）中，將絕緣紙?jiān)?00℃下加熱2小時(shí)，并如圖2（a）和2（b）所示分析從腔室中去除的氣體的實(shí)驗(yàn)光譜。0.47 g絕緣紙并在不同溫度下加熱2小時(shí)后，抽出室內(nèi)的氣體進(jìn)行分析和分析（數(shù)據(jù)列于表2）。150℃下將0.47 g絕緣紙加熱不同的時(shí)間后，抽出室內(nèi)的氣體進(jìn)行分析。3中示出了關(guān)于雜質(zhì)的數(shù)據(jù)。200℃下將0.47g的絕緣紙加熱不同的時(shí)間之后，提取室中的氣體用于分析和分析。質(zhì)數(shù)據(jù)示于表4。4顯示了在絕緣紙加熱2小時(shí)期間每種組分的氣體逸出；圖4顯示了在絕緣紙中加熱2小時(shí)后各組分的氣體逸出。5示出了在150℃下加熱不同時(shí)間的絕緣紙的氣相分解產(chǎn)物的演變。6以趨勢(shì)圖顯示了在200°C下加熱了不同時(shí)間的氣體的分解產(chǎn)物的絕緣紙。

　　絕緣紙的加熱溫度為50°C時(shí)，不會(huì)形成H2，CO為0.03 ppm，CO2從底部顯著增加，并且會(huì)形成少量的C2H4。度升高到100°C，就會(huì)形成H2并生成CO。時(shí)，CO 2的含量持續(xù)增加，并形成C 2 H 6，隨著溫度的升高，CH 4，C 2 H 4和C 2 H 6的含量逐漸增加，溫度升至150℃時(shí)，H 2，CO的含量和二氧化碳更高。前有很大的增加，溫度低于200°C，沒有形成C2H2。

　　絕緣紙的加熱溫度為150℃時(shí)，將其分別加熱2h和4h。H2，CO，CO2含量變化不大，加熱15h時(shí)，H2，CO，CO2含量和其他產(chǎn)品略有增加。這種情況下不會(huì)產(chǎn)生C2H2。絕緣紙的加熱溫度為200℃時(shí)，特征產(chǎn)物含量隨加熱時(shí)間而增加，并且CO 2含量超過該范圍。熱4小時(shí)后H 2含量降低，這可能有助于某些反應(yīng)：在200°C加熱4 h時(shí)，CH4和C2H4增加，并且CH4的生長(zhǎng)速率增加?？臁2在200°C下加熱15小時(shí)時(shí)，其含量會(huì)大大增加。熱實(shí)驗(yàn)表明，絕緣紙?jiān)诩訜徇^程中分解產(chǎn)生H2，CO，CO2，CH4，C2H4，C2H6等特征產(chǎn)物。約在100°C時(shí)會(huì)生成H2和CO。
　　著加熱溫度的升高，特征產(chǎn)物的含量顯著增加至150°C，特征產(chǎn)物的含量逐漸增加。大多數(shù)地區(qū)，特別是在北部，GIS氣體絕緣子對(duì)絕緣材料的老化影響很小：在溫暖的南部，大氣溫度較高，并且對(duì)絕緣材料的老化影響稍微重要一點(diǎn)，但這不是最重要的因素。重要的因素是電力設(shè)備在長(zhǎng)期運(yùn)行過程中產(chǎn)生的熱量積聚。后，絕緣體的內(nèi)部溫度過高。些熱量來自局部放電，斷電等導(dǎo)致的較高溫度。[4]。固體絕緣材料的制造和絕緣材料的使用中，不可避免地在絕緣體內(nèi)部產(chǎn)生諸如氣泡，雜質(zhì)和裂紋的缺陷，并且這些缺陷的存在容易引起集中。部電場(chǎng)的作用，因此導(dǎo)致局部放電老化。緣材料的局部放電損傷的特征主要表現(xiàn)在三個(gè)方面：帶電離子的高速碰撞，聚合物分子鍵的斷裂，極短的局部放電時(shí)間，局部溫度高達(dá)1000°C導(dǎo)致局部熔化和化學(xué)降解；產(chǎn)生具有化學(xué)活性的H·和O·，它們與聚合物相互作用形成羧基和硝酸，腐蝕絕緣材料和導(dǎo)體[4]。中R代表一組高分[4]。緣材料性能的實(shí)驗(yàn)表明，它們?cè)跓崂匣蛩氐淖饔孟聲?huì)發(fā)生化學(xué)鍵和官能團(tuán)的變化。驗(yàn)表明，在100°C時(shí)，老化時(shí)間短，時(shí)間不變：當(dāng)老化超過一千小時(shí)時(shí)，羰基開始增強(qiáng)；在120°C時(shí)，可見熱氧化反應(yīng)開始迅速發(fā)生?；?，并且隨著老化時(shí)間的增加，羰基也增加，并且絕緣材料更容易受到高溫?zé)嵫趸挠绊?。著時(shí)間的增長(zhǎng)和由熱氧化引起的羰基生成的增加，分子結(jié)構(gòu)中的大量裂紋[4]，CH鍵的斷裂以及設(shè)備中空氣的存在，價(jià)鍵的斷裂在活性物質(zhì)的作用下產(chǎn)生H 2，CO，CO 2。期的H2含量很高：如果繼續(xù)氧化，CO和CO2將急劇增加。
　　合物絕緣材料在放電表面或放電表面附近產(chǎn)生漏電痕跡的過程稱為“電痕跡”。面泄漏和火花放電是由泄漏引起的，這歸因于材料表面的間歇性傳導(dǎo)路徑引起的火花放電，電纜以及碳化物的形成和傳播[5]。于旁路放電，材料表面的局部溫度過高，導(dǎo)致快速的裂化反應(yīng)。時(shí)，在材料表面上的炭黑快速形成，并且形成的炭黑在電火花的作用下與氧氣快速反應(yīng)，形成CO和CO2。]。
　　了改善耐漏電性，除了使用具有很少或沒有共軛雙鍵結(jié)構(gòu)的聚合物之外，還可以添加適量的氫氧化鋁。Al（OH）3具有良好的導(dǎo)熱性，可以迅速消除由放電產(chǎn)生的高溫，有效地減少了聚合物絕緣材料的分解和碳的形成速率，并提高了材料對(duì)車輛跟蹤的抵抗力[ 5]。管可以很好地應(yīng)用這種出色的性能，但也會(huì)產(chǎn)生H2，CO，CO2和其他碳氧化物。實(shí)驗(yàn)條件下加熱絕緣紙的過程中，形成了H2，CO，CO2，CH4，C2H4，C2H6的分解產(chǎn)物，而沒有形成C2H2。
　　加熱溫度接近100℃時(shí)，形成H 2和CO。時(shí)，CO2含量已大大增加。

　　溫度升至150°C時(shí)，H2，CO和CO2的含量急劇增加，其次是CH4和C2H4。C2H6的含量也大大增加。不同的加熱溫度下，分解產(chǎn)物的分解速率并不相同，但是隨著加熱溫度的升高和加熱時(shí)間的增加，分解產(chǎn)物的含量逐漸增加。此，可以通過色譜法估計(jì)相關(guān)缺陷。
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