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由于智能電子技術的不斷發(fā)展,使用傳統(tǒng)晶體管的摩爾定律已達到極限,用戶迫切需要新一代的半導體技術來進一步減小半導體器件的尺寸。元。
FinFET是一種新型的器件結構,
電纜已成為技術發(fā)展方向。文從專利的角度分析了全球和國家的發(fā)展趨勢以及SOI FinFET器件的重要申請人,并分析了它們的技術熱點。析表明,中國的SOI FinFET技術與國外先進水平之間仍存在很大差距,但近年來,對該領域的研究與開發(fā)越來越重視,投資也有所增加。年又一年,他們正在逐步追趕。著摩爾定律的減少和芯片集成度的提高,當半導體技術達到22nm時,導致傳統(tǒng)MOSFET陷入瓶頸的許多負面影響尤其是短通道效應已大大增加。設備關閉狀態(tài)下,大電流會導致電流大幅增加。中,新型器件結構FinFET受到越來越多的關注。FinFET架構中,柵極為3D鰭狀結構,可以控制電路兩側的電路激活和去激活,圖1顯示了平面晶體管和晶體管的一般結構。三扇門的FinFET模塊[1]。
據襯底結構的特性,
電纜FinFET器件可分為FinFET絕緣體上硅(SOI)器件和FinFET硅塊體襯底器件。于SOI器件具有掩埋在襯底中的氧層,因此更容易在SOI襯底上實現FinFET,并且在源極和漏極之間以及器件之間形成自然的電絕緣。
以有效消除泄漏并避免鎖定效應。而,二氧化硅的熱導率低,這將產生自熱效應。此,遷移率,閾值電壓,漏極電流和低于器件閾值的斜率都受溫度影響。此,在現階段和將來的CMOS器件的研究和應用中,SOI FinFET器件已經成為技術發(fā)展的熱點,并面臨許多挑戰(zhàn)。據專利檢索的結果,可以獲得SOI FinFET專利申請的總體趨勢,該趨勢可以分為三個步驟。年,第一個SOI FinFET專利申請已經出現。是加利福尼亞大學的一項專利申請(USB1公開號)。SOI FinFET雙柵極結構的柵極形成在溝道的兩側,有效地抑制了短溝道。果并提高了設備??的驅動能力。這里,每年SOI FinFET的應用數量穩(wěn)定在50個左右,這仍處于研究和探索階段,并且?guī)缀鯖]有大規(guī)模的工業(yè)應用。于智能電子技術的飛速發(fā)展,FinFET作為可以實現進一步集成的設備可以在工業(yè)中得到廣泛使用。此,在現階段,SOI FinFET專利申請的數量已大大增加。2010年的40例到2012年的110例,過去兩年的增長率幾乎翻了三倍,并繼續(xù)呈上升趨勢。據SOI FinFET專利的主要申請人的分析,眾所周知,IBM在美國具有絕對優(yōu)勢,其次是臺積電。為SOI FinFET技術的支持者,IBM與AMD建立了長期的戰(zhàn)略合作伙伴關系,在這一領域具有絕對優(yōu)勢。IBM與Intel的FinFET技術之間的最大區(qū)別在于,英特爾繼續(xù)采用傳統(tǒng)的塊狀硅方法,而IBM的FinFET架構則基于FD-SOI技術。

全耗盡,不僅保留了平面技術的優(yōu)勢,還具有結構絕緣,無摻雜,低能耗和低電壓運行的特點。IBM的專利申請之后,TSMC是該領域的主要申請人。FinFET技術最初是由加利福尼亞大學伯克利分校的胡正明教授提出的,并且在2001年至2004年期間擔任臺積電的技術總監(jiān)。
年來,臺積電在制造方面也顯示出強勁的勢頭。SOI FinFET工業(yè)應用。圖顯示了SOI中國FinFET專利申請數量與全球專利申請數量之間的比率,其發(fā)展呈上升趨勢(該專利近年來未公開,數據落后了)。

是,中國的第一個SOI FinFET專利申請于2002年出現,比國外晚了兩年。國自己開發(fā)的SOI FinFET專利申請甚至更晚。2004年,北京大學首次提交了自己開發(fā)的內部SOI FinFET內部專利申請(CNA公開號),該技術使用沉積的氮化硅來保護鰭片區(qū)域,然后將其氧化。成鰭區(qū)的幾乎SOI結構。

以看出,中國在FinFET SOI領域起步較晚,但近年來中國應用在全球應用中所占的比例逐漸增加。表明中國近年來在這一領域的研發(fā)越來越受到重視。時,通過分析中國專利申請領域,我們可以看到芬菲特在中國擁有自主知識產權的R SOI機構高度集中在上海和北京。管在蘇州,無錫,杭州,武漢,成都和西安,半導體設計和制造相對發(fā)達,但SOI FinFET領域的研發(fā)能力尚待開發(fā)。SOI FinFET技術已經開發(fā)了很多年,并且其工藝已經減少,因此IBM和Intel之間在14 nm工藝中的競爭變得更加激烈。導體集成電路技術一直在追求高密度,低成本,高速和低功耗,這也突出了對SOI FinFET技術的新要求[2]。
]。前,主要的先進技術有:1)提高操作員的機動性,實現更高的信道控制能力。2)采用側壁顯影技術,確保線寬一致性。3)簡化流程并降低成本。4)高密度性能優(yōu)化,例如使用堆疊結構,改進工藝和新的微結構。上所述,中國的SOI FinFET技術與國外先進水平相比仍存在很大差距,但近年來,中國越來越重視這一領域的研究與開發(fā)及其投資。年增加。國可以充分利用自身優(yōu)勢,在SOI FinFET器件上尋找研究熱點,以克服曲線問題。
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