由于智能電子技術的不斷發(fā)展，使用傳統(tǒng)晶體管的摩爾定律已達到極限，用戶迫切需要新一代的半導體技術來進一步減小半導體器件的尺寸。元。
　　FinFET是一種新型的器件結構，電纜已成為技術發(fā)展方向。文從專利的角度分析了全球和國家的發(fā)展趨勢以及SOI FinFET器件的重要申請人，并分析了它們的技術熱點。析表明，中國的SOI FinFET技術與國外先進水平之間仍存在很大差距，但近年來，對該領域的研究與開發(fā)越來越重視，投資也有所增加。年又一年，他們正在逐步追趕。著摩爾定律的減少和芯片集成度的提高，當半導體技術達到22nm時，導致傳統(tǒng)MOSFET陷入瓶頸的許多負面影響尤其是短通道效應已大大增加。設備關閉狀態(tài)下，大電流會導致電流大幅增加。中，新型器件結構FinFET受到越來越多的關注。FinFET架構中，柵極為3D鰭狀結構，可以控制電路兩側的電路激活和去激活，圖1顯示了平面晶體管和晶體管的一般結構。三扇門的FinFET模塊[1]。
　　據襯底結構的特性，電纜FinFET器件可分為FinFET絕緣體上硅（SOI）器件和FinFET硅塊體襯底器件。于SOI器件具有掩埋在襯底中的氧層，因此更容易在SOI襯底上實現FinFET，并且在源極和漏極之間以及器件之間形成自然的電絕緣。
　　以有效消除泄漏并避免鎖定效應。而，二氧化硅的熱導率低，這將產生自熱效應。此，遷移率，閾值電壓，漏極電流和低于器件閾值的斜率都受溫度影響。此，在現階段和將來的CMOS器件的研究和應用中，SOI FinFET器件已經成為技術發(fā)展的熱點，并面臨許多挑戰(zhàn)。據專利檢索的結果，可以獲得SOI FinFET專利申請的總體趨勢，該趨勢可以分為三個步驟。年，第一個SOI FinFET專利申請已經出現。是加利福尼亞大學的一項專利申請（USB1公開號）。SOI FinFET雙柵極結構的柵極形成在溝道的兩側，有效地抑制了短溝道。果并提高了設備??的驅動能力。這里，每年SOI FinFET的應用數量穩(wěn)定在50個左右，這仍處于研究和探索階段，并且?guī)缀鯖]有大規(guī)模的工業(yè)應用。于智能電子技術的飛速發(fā)展，FinFET作為可以實現進一步集成的設備可以在工業(yè)中得到廣泛使用。此，在現階段，SOI FinFET專利申請的數量已大大增加。2010年的40例到2012年的110例，過去兩年的增長率幾乎翻了三倍，并繼續(xù)呈上升趨勢。據SOI FinFET專利的主要申請人的分析，眾所周知，IBM在美國具有絕對優(yōu)勢，其次是臺積電。為SOI FinFET技術的支持者，IBM與AMD建立了長期的戰(zhàn)略合作伙伴關系，在這一領域具有絕對優(yōu)勢。IBM與Intel的FinFET技術之間的最大區(qū)別在于，英特爾繼續(xù)采用傳統(tǒng)的塊狀硅方法，而IBM的FinFET架構則基于FD-SOI技術。

　　全耗盡，不僅保留了平面技術的優(yōu)勢，還具有結構絕緣，無摻雜，低能耗和低電壓運行的特點。IBM的專利申請之后，TSMC是該領域的主要申請人。FinFET技術最初是由加利福尼亞大學伯克利分校的胡正明教授提出的，并且在2001年至2004年期間擔任臺積電的技術總監(jiān)。
　　年來，臺積電在制造方面也顯示出強勁的勢頭。SOI FinFET工業(yè)應用。圖顯示了SOI中國FinFET專利申請數量與全球專利申請數量之間的比率，其發(fā)展呈上升趨勢（該專利近年來未公開，數據落后了）。

　　
　　是，中國的第一個SOI FinFET專利申請于2002年出現，比國外晚了兩年。國自己開發(fā)的SOI FinFET專利申請甚至更晚。2004年，北京大學首次提交了自己開發(fā)的內部SOI FinFET內部專利申請（CNA公開號），該技術使用沉積的氮化硅來保護鰭片區(qū)域，然后將其氧化。成鰭區(qū)的幾乎SOI結構。

　　以看出，中國在FinFET SOI領域起步較晚，但近年來中國應用在全球應用中所占的比例逐漸增加。表明中國近年來在這一領域的研發(fā)越來越受到重視。時，通過分析中國專利申請領域，我們可以看到芬菲特在中國擁有自主知識產權的R SOI機構高度集中在上海和北京。管在蘇州，無錫，杭州，武漢，成都和西安，半導體設計和制造相對發(fā)達，但SOI FinFET領域的研發(fā)能力尚待開發(fā)。SOI FinFET技術已經開發(fā)了很多年，并且其工藝已經減少，因此IBM和Intel之間在14 nm工藝中的競爭變得更加激烈。導體集成電路技術一直在追求高密度，低成本，高速和低功耗，這也突出了對SOI FinFET技術的新要求[2]。
　　]。前，主要的先進技術有：1）提高操作員的機動性，實現更高的信道控制能力。2）采用側壁顯影技術，確保線寬一致性。3）簡化流程并降低成本。4）高密度性能優(yōu)化，例如使用堆疊結構，改進工藝和新的微結構。上所述，中國的SOI FinFET技術與國外先進水平相比仍存在很大差距，但近年來，中國越來越重視這一領域的研究與開發(fā)及其投資。年增加。國可以充分利用自身優(yōu)勢，在SOI FinFET器件上尋找研究熱點，以克服曲線問題。
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